砷化镓技术是射频和微波器件设计的常用技术，但如果产品要求快速建立时间和快速开关时间，硅工艺优于砷化镓。
那么问题来了——
采用硅技术的射频和微波控制产品，相比砷化镓器件，优势在哪里呢？
为此，ADI举行了一场主题为【采用硅技术的射频和微波控制产品】的在线研讨会。在研讨会中，ADI射频和微波控制产品部门营销经理Bilge Bayrakci 介绍了ADI采用先进硅工艺制造的新型射频和微波开关以及衰减器系列产品。相比使用砷化镓制造的传统计数器件，Bilge 讨论了新产品如何从硅技术的固有优势中受益。同时还重点向大家介绍新产品特性和关键性能参数。
有兴趣的小伙伴可点击链接观看回放：http://www.chinawebinar.com/landing/100241.HTM
在这里，版主分享下此次研讨会的讲义，供大家参考学习~
在此次论坛上，工程师朋友就砷化镓技术和硅工艺提出了不少问题，ADI亚洲技术支持中心的专家团队提供了专业解答，我们整理其中部分技术问答分享给大家，供参考学习哦
【问】
硅工艺制造的新型射频和微波开关以及衰减器系列产品的优势？
【答】
新型硅工艺的射频开关和衰减器的优势在于插损低、隔离度好、功率处理能力高、建立时间快…
感谢楼主分享！多了解些
射频这一块知识有涉及到。
射频和微波开关可分为机电式继电器开关以及固态开关两大类。这些开关可设计为多种不同构型——从单刀单掷到可将单个输入转换成16种不同输出状态的单刀十六掷，或更多掷的构型。切换开关为一种双刀双掷构型的开关。此类开关具有四个端口以及两种可能的开关状态，从而可将负载在两个源之间切换。
机电式继电器开关的插入损耗较低（<0.1dB），隔离度较高（>85dB），且可以毫秒级的速度切换信号。此类开关的主要优点在于，其可在直流~毫米波（>50 GHz）频率范围内工作，而且对静电放电不敏感。此外，机电式继电器开关可处理较高的功率水平（达数千瓦的峰值功率）且不发生视频泄漏。
然而，在机电式射频开关的操作中，有一些问题值得我们注意。此类开关的标准使用寿命大约只有100万次，而且其组件对振动较为敏感。使用寿命是指机电式开关在满足射频及重复性要求的情况下所能完成的总开关次数。高质量或高可靠性机电式开关适用于需要更长使用寿命的应用场合。此类开关的可靠性和其他性能极其优越，而且使用寿命长达1000万次。上述较长使用寿命源自于设计更为牢固的致动器以及在磁效率和机械刚性方面更为优化的传动连杆。此外，此类开关还设计为可承受更为严酷的环境条件，并满足MIL-STD-2002标准在正弦和随机振动以及机械冲击方面的要求。
新型硅工艺的射频开关和衰减器的优势在于插损低、隔离度好、功率处理能力高、建立时间快，以及很高的ESD保护等级。
我想请教一下：ADI产品是采用的什么工艺？
硅工艺和砷化镓工艺都有，它们的优势不同。建立时间、集成能力、ESD保护等方面硅工艺具有明显优势；但是高带宽是砷化镓的优势。
“新型硅工艺的射频开关和衰减器的优势在于插损低、隔离度好、功率处理能力高、建立时间快，以及很高的ESD保护等级。”新工艺指的是什么？
传统的微波控制芯片使用砷化镓工艺，这里提到新型或者先进硅工艺是和传统技术相比而言。
有哪些封装形式？
ADI这类硅工艺控制芯片常采用LFCSP封装
adi产品后面的uz tz什么意思
Z代表无铅
所以带宽要求高的时候可靠性就会降低呗
目前在高于40GHz的用用中，砷化镓基本上是唯一选择
ESD保护等级具体有多高？
可能达到4KV
新型微波元件有哪些
如微波开关、衰减器、移相器、功率放大器、检波器等等
就插损和隔离度而言，砷化镓是不是可以做得更好？
先进硅工艺在这两方面可以做到更好
衰减器和隔离器的不同之处
衰减器可以通过控制进行相应的衰减步进，和隔离器不是一个概念
ADI是什么工艺？
ADI目前在控制器方面有硅工艺和砷化镓工艺
有无独特的创新优势？独特的？创新的?
举例说明，ADI的数字衰减器HMC1119和HMC1122提供最低的插入损耗、最高的步进误差精度以及当今市场上最快的建立时间特性。
"先进硅工艺在这两方面可以做到更好",那么砷化镓是否也有望更上一层楼能做得更好呢？
砷化镓的优势在于高频率、高温工作以及故障安全等
该产品和同类产品有什么明显优势？
就开关而言，和业界竞争器件比较，在插损，隔离度、建立时间、ESD等级等方面都做的更好
射频衰减器 反接可以吗？
理论上是可以的
ADI现在西安的代理是谁啊，以前的几家都不卖了
ADI授权代理商请见以下链接：http://www.analog.com/cn/about-adi/landing-pages/002/sales-and-distributors.html
射频衰减器的衰减倍数和放大器放大增益的关系？
一个是用来对大信号进行衰减，一个是对小信号进行放大，对于功率信号，都可以用分贝衡量