在lt4363的手册在 Limiting Inrush Current and GATE Pin Compensation部分提到了在栅极控制引脚增加一个电容来防止 NMOSFET的“self enhancement”效应，中文应该翻译成“自增强效应”吗？我应该如何理解这个“self enhancement”效应呢？能详细讲解一下这个效应吗？
在lt4363的手册在 Limiting Inrush Current and GATE Pin Compensation部分提到了在栅极控制引脚增加一个电容来防止 NMOSFET的“self enhancement”效应，中文应该翻译成“自增强效应”吗？我应该如何理解这个“self enhancement”效应呢？能详细讲解一下这个效应吗？
