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关于LTC7060芯片的使用

我按照数据手册中的电路(如下)搭建了仿真电路(第二幅)

仿真效果较好,R3两端有4.5mA,且受pwm输入的波形控制着进行双向变动。

然后我尝试着把第一片芯片的sw引脚和第二片芯片的BGRTN引脚接地(第三幅),而不是接在两个mos管之间,结果发现仿真结果不对,电阻R3两端电流较小,电压也被限制在8V绝对值以内,我想这是因为mos管的vgs至少要4.1V电压才会导通,而芯片的VCC是12V,所以R3的电压最多升至8V,令mos管的源极不会超过8V,这样VGS至少可以保证导通。

所以我有些疑惑数据手册的典型应用中,电容C1,C2是不是给芯片内部的某个器件充电所以才能抬高TG端电压,而不是仅仅受高边电压BST限制。

另外,我想知道我的电路的C1,C2是不是可以选一个更合适的电容值,然后TG和BG控制mos管的栅极时,有必要连一个电阻吗?如果需要的话大概什么阻值比较好呢