LTC3789电路 经常烧坏MOSFET

    

   采用了LTC3789推荐电路设计的一款12V电源,该电源用于整车上,输入电源即为蓄电池(7-16V),在GND采用了MOSFET作为防反接,负载为2-3R加热线,采用200HZ的PWM控制,但是目前在使用上发现三例功率MOSFET(SIR442DP) Q5损坏且芯片EXTVCC管脚与GND短路,现象如下

损坏后的MOSFET呈以下特性:1、用万用表二极管档测量:VDD-S 为无穷大,VDS-D :0.376V,栅极测量正常,芯片EXTVCC与GND直流阻抗为(正反向)19.58R;

                                                   2、用万用表二极管档测量:VDD-S 为2.020V,VDS-D :0.256V,栅极测量正常,芯片EXTVCC与GND直流阻抗为(正反向)19.58R

    请问ADI的技术人员提供一个分析的方向;或者:当VIN_H骤降时,是否会有一个径反向的电流流过Q5,导致Q5内部的寄生二极管因为瞬间大电流而导致热击穿?

                                                                        2、是什么原因导致EXTVCC与GND短路;是否会有过压的风险?

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