Post Go back to editing

LTC3789电路 经常烧坏MOSFET

    

   采用了LTC3789推荐电路设计的一款12V电源,该电源用于整车上,输入电源即为蓄电池(7-16V),在GND采用了MOSFET作为防反接,负载为2-3R加热线,采用200HZ的PWM控制,但是目前在使用上发现三例功率MOSFET(SIR442DP) Q5损坏且芯片EXTVCC管脚与GND短路,现象如下

损坏后的MOSFET呈以下特性:1、用万用表二极管档测量:VDD-S 为无穷大,VDS-D :0.376V,栅极测量正常,芯片EXTVCC与GND直流阻抗为(正反向)19.58R;

                                                   2、用万用表二极管档测量:VDD-S 为2.020V,VDS-D :0.256V,栅极测量正常,芯片EXTVCC与GND直流阻抗为(正反向)19.58R

    请问ADI的技术人员提供一个分析的方向;或者:当VIN_H骤降时,是否会有一个径反向的电流流过Q5,导致Q5内部的寄生二极管因为瞬间大电流而导致热击穿?

                                                                        2、是什么原因导致EXTVCC与GND短路;是否会有过压的风险?

Parents Reply Children
  • 有一批验证产品(4套),更改输出电压为10V,目前未发现有MOSFET损坏的现象,因搭载该芯片的产品应用于车上,根据目前测量的结果的怀疑的大致方向为:因车上的蓄电池工作电压为12V(电压不稳定)左右,根据测量此时芯片工作在BUCK-BOOST模式下,如果搭载大负载且车辆在启动时会造成蓄电池电压跌落,导致输出有较大的过冲,从而导致芯片引脚损坏;但是不解的是芯片EXTVCC脚损坏后为什么会导致MOSFET损坏!

  • EXTVCC损坏后,芯片内部出现异常导致外部MOSFET损坏是有可能的。