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LTC3789电路 经常烧坏MOSFET

    

   采用了LTC3789推荐电路设计的一款12V电源,该电源用于整车上,输入电源即为蓄电池(7-16V),在GND采用了MOSFET作为防反接,负载为2-3R加热线,采用200HZ的PWM控制,但是目前在使用上发现三例功率MOSFET(SIR442DP) Q5损坏且芯片EXTVCC管脚与GND短路,现象如下

损坏后的MOSFET呈以下特性:1、用万用表二极管档测量:VDD-S 为无穷大,VDS-D :0.376V,栅极测量正常,芯片EXTVCC与GND直流阻抗为(正反向)19.58R;

                                                   2、用万用表二极管档测量:VDD-S 为2.020V,VDS-D :0.256V,栅极测量正常,芯片EXTVCC与GND直流阻抗为(正反向)19.58R

    请问ADI的技术人员提供一个分析的方向;或者:当VIN_H骤降时,是否会有一个径反向的电流流过Q5,导致Q5内部的寄生二极管因为瞬间大电流而导致热击穿?

                                                                        2、是什么原因导致EXTVCC与GND短路;是否会有过压的风险?

Parents
  • C168要使用陶瓷电容1uF,且尽可能靠近芯片放。

    不知道是不是12V_H有过冲损坏EXTVCC,因为EXTVCC耐压只有14V,针对你的应用,输入最高只有16V,EXTVCC悬空即可,芯片INTVCC直接通过芯片内部LDO取电即可。

  •        从目前损坏的例来看,均为Q5以EXTVCC损坏,且Q5损坏的现象一致,均是热击穿,表面有明显的炸裂,EXTVCC损坏后的现象也较为一致,电阻档测量对GND呈现0-20R左右电阻,二极管档测量均为0V-0.3V(正接EXTVCC),怀疑是因为输入电压快速跳变导致输出电压升高,但目前通过模拟该状态没有发现明显的异常,求个解决思路!

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  •        从目前损坏的例来看,均为Q5以EXTVCC损坏,且Q5损坏的现象一致,均是热击穿,表面有明显的炸裂,EXTVCC损坏后的现象也较为一致,电阻档测量对GND呈现0-20R左右电阻,二极管档测量均为0V-0.3V(正接EXTVCC),怀疑是因为输入电压快速跳变导致输出电压升高,但目前通过模拟该状态没有发现明显的异常,求个解决思路!

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