LTC7801输入端发热严重

只是Q2温度最高吗？Q1温度呢？这两个是并联的关系，按理说，两个的状态是一致的。你的测试应该是60V转42V时测的吧，这个时候看空比>50%，高边MOS导通时间会更长，理论上，也是高边MOS会更热。

C31是因为用了电解，电解的ESR比较大，电容反复充放电，发热就会厉害。

另外一个问题，DC/DC开关频率现在是多少？

1. 可以考虑把MOS换成RDSON更小的；

2. 把输入电容，C31 换成ESR更小的电容。比如，100uF陶瓷，或者一个47uF陶瓷 + 47uF电解，或者多个电容并联。

Q2附近的温度要更高些，开关频率目前是175K，因为我输入电压比较高，大陶瓷电容比较难找，是不是用固态电容也可以；另外我改板把Q1和Q2换成那个插件的MOS然后加散热片，目前选的型号是IPP200N15N3G，但每次一上电，IC就会坏掉，当输入电压慢慢上升时，IC就不会坏，是否是这个MOS引起的呢？高边和低边的MOS参数是否一定要一样？

可以用10uF的陶瓷，分一部分电流下来。固态电容会好很多，普通电解的ESR是太大了。插件MOS的问题在于，MOS管脚和PCB焊接处的寄生电感太大了，当接输入Vin和功率地PGND的寄生电感大了，会容易引起很大的SW毛刺，你可以看下IC坏的是哪些管脚，一般是SW脚或者和SW有连接关系的一些管脚。你现在上电快了就烧IC，就是寄生电感引起的。

一般DC/DC都建议用贴片MOS，用PCB的铺铜来散热。选用插件MOS要特别注意PCB设计。高低边MOS的参数，可以不一样。你现在C31发热厉害，我怀疑更大原因是离MOS管太近了，放在热源旁边，肯定也被烤热了。Q1和Q2的散热铜皮太小了，而且没有什么过孔打到别的层上散热，仅靠表面的小面积铜皮是很难散出去的。