LTC3108仿真与提升效率

我需要对整个系统(包含其他芯片)的运行进行仿真,但是官网没有提供LTC3108pspice模型(只有LTspice);

请问有没有LTC3108pspice模型,或者是能协助我搭出pspice模型的原理分析,参考文献或参考文档;主要是不知道3108入口处的管子(如下图所示)是怎样开始驱动的,那是个什么样的管子。

现在的效率还达不到我们的要求。在不更换芯片的前提下,是否有方法提高效率。

从芯片本身来讲,什么限制了芯片效率?

  • +1
    •  Analog Employees 
    on Sep 3, 2019 11:34 AM

    ADI暂时只提供LTSpice的仿真模型。框出来的管子就是个NMOS,驱动的阈值电压肯定是比较低的那种,更容易导通。

    不知道你们希望怎样的效率。微功耗应用的情况下,影响效率主要的就是IC自身的损耗,那么多控制电路要工作,肯定要损耗电的。

    要进一步提高效率,如果排除IC自身的损耗,能优化的就是你选用的外围器件,尽量是漏电流小,比如电容,转换效率高,比如线圈。

  • 您能大致估计一下IC控制自身的的损耗占全部损耗的多少吗?(不负责的估计一下即可)

    换言之,我通过修改外围器件能提升多少效率?

    ps.我看datasheet上推荐的耦合电感副边电阻相当大,这里的损耗明显吗?

    谢谢!!

  • 0
    •  Analog Employees 
    on Sep 18, 2019 2:11 AM in reply to shenyvahaha

    效率损耗除了芯片自身的静态损耗,在正常工作状态时,开关损耗会是主要损耗。提高效率,除了器件的选择,谐振频率也很重要,线圈的匝比和阻抗参数,以及C1和C2的值,都是跟谐振相关的。线圈的DCR确实会对效率有很大影响,但是线圈的电感值,又会影响谐振频率。所以,这里面还是比较复杂的。

    这个损耗的计算,不是我们想象的普通DC-DC的那种计算方式,要复杂的多,因为DC-DC的功耗评估,有很多近似和假设。这种微功耗的能量采集,以前可以忽略的东西,这里恰恰不能忽略。