LTC7862通過MIL-STD-1275D規範的設計建議

ADI專家您好,

我們有一個過電壓保護的需求, 需要過MIL-STD-1275D規範

原本選用LTC7860, P-MOSFET 250V以上的RDSon都很大, 使用的話MOSFET功耗太大

後來改找LTC7862, 因為LTC7862是用 N-MOS
但LTC7862的Datasheet裡面沒有提到關於Floating Ground的說明與如何設計 (LTC7860有)

可以請問

1. LTC7862目前有符合MIL-STD-1275D規範的參考設計嗎?
2. LTC7862 Floating Ground設計的部分有沒有一些設計的建議?

謝謝!