关于LTC4364在电源叠加交流状态下的一些疑问

上图是我仿真的电路图,在电源叠加交流的状态下,由于后端电容的充放电,导致电流超过阈值。

以至芯片进行限流。

而且一旦正向电流开始超出阈值,MOSFET的温度会快速上升,面对这种情况只能通过给MOSFET散热的方式来增加可靠性么?

在ISO16750-2上要求控制器在电源叠加交流状态下工作在CLASS A。

1.请问可以采用什么措施来降低叠加交流对此电路的影响?

2.在负载中含有DCDC电路之类的感性电路时,对此保护电路是否会造成影响,会不会导致电路直接进入保护?

3.针对MOSFET选型,对于负载突降实验,可能达到较高的电压,是否意味着MOSFET必须选择耐压需要超过实验中的最高电压,这样对MOSFET的选型有一定的要求,MOSFET需要高耐压大功率小Rdson,最终可能比大功率TVS的体积还要大。有没有什么解决办法。

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    on Jun 6, 2019 2:20 AM

    用LTC4364这种电路的原因,不是单纯替代TVS这么简单,第一,TVS的响应速度是远远达不到MOS开关控制器的控制速度的,这个是系统可靠性的一个考量,在某些电压高,持续时间长的浪涌输入时,一般的TVS很难保证系统安全。

    第二,MOS管的选型,耐压是由浪涌的最大电压值决定的,RDSON是由应用的系统电流对线上压降要求决定的。你现在仿真中,发现的热的问题,其实和RDSON是没有关系的。当浪涌来的时候,芯片是要做电压嵌位,这个时候在MOS管工作在饱和区,等效内阻是很大的(有别于完全导通时的RDSON),MOS上面的耗散功率就是电流乘以压差,根据热量=I*I*t,要解决热的问题,只能是把电流限制住,另外,就是要考虑浪涌的设定时间是不是合理,能不能降低。如果电流和浪涌时间都不能减小,那MOS考虑散热就是必须的。

    另外,在这类应用里面,选MOS,最主要的一个参数是MOS管的SOA曲线,一定要让MOS工作在安全区域内,不然就会烧MOS。

  • 你好。LTC4359应用中采用一对背靠背的NMOS,前面的MOS充电负载开关。这样的效果跟LTC4364比。哪个更合适?

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