关于使用SiGe和28nm CMOS的24GHz至44GHz无线电完整解决方案

想必坛子里的各位侠士都非常清楚,ADI拥有广泛且高性能的CMOS产品,并提供大量多功能器件,主要还是为了帮助设计人员能够针对特定设计需求找到合适的器件。不过,大家兴许还不知道,ADI在关于使用SiGe技术和28nm CMOS的24GHz至44GHz无线电解决方案上,也有完美的答案哦,让版主带大家一起来瞧瞧吧。

完整解决方案专场

下图是一个Eaton ADS8系列过载继电器,提供20个载波,每个载波的带宽为20MHz,也就是400MHz的完整带宽。这个载波可以转到平台,成为AD9172

这是一个基于28nm CMOS技术的16位双通道平台,可以采样12GHz信号。该平台提供800-1.2GHz的带宽载波,特别是LTE载波,将会转至低通滤波器以便降低镜像。

在滤波的输出端,转至调制器,即新型的基于SiGe的调制器ADMV1013,该SiGe器件将会从PLL VCO ADF5356中获取一个时钟。因此,ADF5356内部拥有一个倍频器,可以提供一个8GHz的时钟。

在调制器的内部,再次将时钟乘以4,即可获得32GHz的输出。所以,在频谱分析仪上,可以观察到的是一个中心频率为32GHz、带宽为400MHz的信号。

新型ADMV1013可以实现两个输入,一个支持从直流到4GHz的基带,或是一个支持从8006GHz带宽的IF输入。输出频率可支持从2644GHz。所以在此处看到的是一个只有3个集成部件的发射机无线电解决方案。以上就是ADI提供的新的完整的系统解决方案。

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  • ADF5356

    ADF5356是一款集成压控振荡器(VCO)的13.6GHz新一代宽带合成器。它的目标应用为无线基础设施、微波点对点链路、电子测试与测量、以及卫星终端等。ADI公司的宽带RF合成器具有精简的系统尺寸、全面的设计功能以及高达13.6 GHz的出色性能。

    ADF5356原理框图

    ADF5356产生的RF输出为53.125 MHz至13.6 GHz,频率范围中无任何间隙,因此该器件可作为多频段合成器使用,无需多个特定频段VCO/合成器产品,可减少元件数量、节省电路板空间并降低功耗。由于ADF5356可提供卓越的PLL品质因数(FOM)、超低VCO相位噪声、极低整数边界和相位检测器杂散,因此,既可以实现理想的宽带范围,又无损于其工作性能。

    欲了解ADF5356详情,请点击:ADF5356 数据手册和产品信息 | 亚德诺半导体

  • SiGe技术知要

    SiGe和CMOS都是当前主流集成电路工艺。而作为一种高于普通硅器件的高频半导体材料,SiGe的应用领域非常广泛,尤其是在新一代移动设备中,是良好的高功率放大器,例如:前置放大器、WLAN功率放大器、低噪声放大器(LNA)等。也正是由于它的高频特性,所以才广泛应用于电子测试产品中。

     

    硅化锗技术具有很多极具吸引力的优点。作为一个硅材料中的“小弟”,SiGe既有硅工艺集成度的成本优势,又具备第3类到第5类半导体(GaAs)和磷化铟(InP)速度方面的优点。SiGe器件的工作频率可高达350GHz,而普通的硅芯片工作频率只能达到几个GHz,而且它的电池速度为变通硅半导体的2到4倍。