首先,MAX6495外部MOSFET的导通电阻应尽可能低,以降低功耗。因为在正常工作模式下,MOSFET消耗的功率为:
MOSFET的导通电阻越小,DS之间压差越小,功耗越低。
其次,由于MAX6495在过压模式下处于“限压”状态,即器件如同一个线性稳压器,通过调整外部MOSFET的导通电阻,改变MOSFET漏源之间的压差,以保证输出电压限定在门限值。此时,MOSFET需要承受的功率为:
所选择的MOSFET额定功率应大于具体应用极端条件下按照上式计算的功耗值。
首先,MAX6495外部MOSFET的导通电阻应尽可能低,以降低功耗。因为在正常工作模式下,MOSFET消耗的功率为:
MOSFET的导通电阻越小,DS之间压差越小,功耗越低。
其次,由于MAX6495在过压模式下处于“限压”状态,即器件如同一个线性稳压器,通过调整外部MOSFET的导通电阻,改变MOSFET漏源之间的压差,以保证输出电压限定在门限值。此时,MOSFET需要承受的功率为:
所选择的MOSFET额定功率应大于具体应用极端条件下按照上式计算的功耗值。