DS1340U-3+: FAQ

我们的确生产了这三种后缀的器件，A1是最初的版本，后来由于生产工厂转移，出现了A2版本，这两种版本是一样的，只是内部的fab由不同的工厂生产。A3版本反映了内部振荡器内核电路的布局改变，这种改变使器件允许使用更高ESR的晶体，目前A3版本的器件允许使用的晶体负载电阻可高达80k。

CEB和CB位要配合使用，当使能Century时，要将CEB设置为1，CB位可以为0，也可以为1，比如，当前是2018年，可以设置为CEB=1，CB=0，Year=18，然后在程序中就可以进行如下判断，如果CB=0，那么year=2000+18=2018,；如果CB=1，那么year=2100+18=2118。因为当year寄存器从99变为0时，CB才会置1。也就是说进入了下一个世纪，年基数就从2000变成2100…