您好，我想将ADHV4702-1输出范围扩展值±220V，按照ADHV4702数据手册中的信号范围扩展器示例搭建了电路如下：
使用LT8304和1：10：10变压器搭建了±220V的供电电路。MOSFET使用了TN2540N3和TP2540N3。
仿真结果正常，但实验中开电会直接把ADHV4702芯片烧坏，目前烧坏了两片，求助，如何能够实现
您好，我想将ADHV4702-1输出范围扩展值±220V，按照ADHV4702数据手册中的信号范围扩展器示例搭建了电路如下：
使用LT8304和1：10：10变压器搭建了±220V的供电电路。MOSFET使用了TN2540N3和TP2540N3。
仿真结果正常，但实验中开电会直接把ADHV4702芯片烧坏，目前烧坏了两片，求助，如何能够实现
首先建议单独测试LT8304电源部分带载能力，确定输出电压能稳定在设计值，增加滤波，确保纹波在可接受范围内。
放大器电路部分，建议在放大器供电电源两端和M1,M2门级增加稳压二极管，同时做好放大器散热。
由于放大器的DGND会限制输出摆幅，可以按照如图所示设置。
好的，谢谢！我在实验中把运放的DGND，RADJ，RESEVED引脚接地了，这是否是导致运放烧掉的原因？这些引脚是不是都应该使用这种设置，使得运放VCC和VEE引脚电压关于这些引脚的电压保持对称？
好的，谢谢！我在实验中把运放的DGND，RADJ，RESEVED引脚接地了，这是否是导致运放烧掉的原因？这些引脚是不是都应该使用这种设置，使得运放VCC和VEE引脚电压关于这些引脚的电压保持对称？
从手册Figure45可以看到，DGND在芯片内部通过二极管与VEE和VCC连接，因此当DGND接入AGND时，他会限制VCC和VEE的摆幅不能超过AGND，但我们想要输出超过200V时，放大器的浮动电源轨摆动势必越过AGND。
通过将DGND设置为随着放大器电源VCC和VEE浮动起来，可以规避这种限制。
不能确定是否这个原因导致芯片烧毁，可以通过分步调试确定故障原因。
首先排除电源问题，对电源进行单独的带载测试确保输出正常。
其次在放大器电路中用低电压供电，观察是否正常工作，输入信号通过10k电阻接地时，空载，观察是否正常，增加输入信号，带载，观察是否正常，增加供电电压， 观察是否正常。
若两部分都能正常工作，再通过该电源给放大器供电，观察是否正常工作。
