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请问如何用运放等器件搭建一个高压如190V/10mA的LDO?ADI是否有类似的解决方案呢?

您好:

搭建一个高压LDO是希望给APD的偏置电源滤波。因为APD偏置电源的纹波会关系到TIA 电路的噪声,所以我希望偏置电源的噪声能够达到5mVpp以下。

然而它的电压比较高,输出为200V/10mA(boost+chargepump方案),纹波非常大,有1V。

我目前想到两个方案,一个是再加一个LC(磁珠加C),二是增加高压LDO滤波。

二级LC我觉得可能会实现不了那么低的纹波和噪声,待测试。而我在一本书里也看到了作者推荐的高压LDO电路,所以想问下ADI是否有高压LDO的解决方案。

谢谢!

  • 怎么又是你?又来要PD偏置供电的解决方案?

    首先你的电源没有设计好,建议选择ADI的LTC8365,然后加LDO滤波即可。

    试一试下面的电路:

  • 谢谢您的指导!我试一试!!!

  • 您好:

    再次感谢您的方案!

    我用您推荐的LTC8365搭建了我们需要的正高压,仿真效果很理想,特别是您推荐的线性调节器滤波器效果非常好:

    这颗芯片的集成度非常高呢,开关管居然耐压达到了150V,峰值电流也达到了1.5A,所以只需要二级倍压就够了。而且正负基准源,输出可正可负……

    我已经做好了,投板了。

    然后,还有个问题想请教您。我们因为想控制通过控制APD的高压,进而控制APD增益。所以用您推荐的方案,搭建了固定的高压。然后做一个高压调节电路。我在网上看到了一个电路,搭建后仿真发现震荡了:

    而我加上输出电容后震荡消失,但是直流传输特性不对呢。我根据虚短算得的0~3.12V,输出0~180V,但是我发现虚短并不成立,此时运放就像个比较器,输出负端饱和了。然后3.1V的时候,输出还是200V。

    所以,我想请教下,如何优化这个高压调节电路呢:1.怎么计算它的直流传输特性呢,这里好像虚短不成立了呢。2.如果避免震荡,我这里是瞎试出来的,增加了输出电容不再震荡。我感觉这个电路也是负反馈,不知道怎么做开环分析,才能知道相位裕量是否足够。

    仿真文件:HV-regulation.asc

    谢谢您~

  • 其实没有必要这么做,你在LTC8365的反馈电阻的反馈点上加一个电阻,然后用DAC控制那个电阻就可以了,你就可以对输出电压进行编程,但阻值需要调试一下,原理就是从反馈点抽拉电流来使得电压改变,用KCL可以计算出来。

  • 是呢。不过您的解决方案,需要每一个APD对应一个开关电源了。用上面的方法,可以一组多个APD用一个开关电源;我们需要这样呢。我再多试试吧。

    谢谢您。

  • 你把R1改为3.3k,试一试!

  • 您好!

    关于这个话题,还想请教您一下。

    1、您分享的APD偏置电源解决方案,我去年实测过,但效果不太好。我们电流比较大,有5mA,所以高电流时候纹波很高了。远大于5mVpp。

    但这个电源芯片性能真的很好,我用评估板测试的,输出没有高次谐波分量。后面ADI有FAE推荐了我们AN118文档,建议参考……

    最终,我们还是决定直接选型APD专用的高压模块,毕竟一个设备里用不了几个。

    2、您推荐的输出端mos管搭建的线性稳压器,我实际用了。但是最近小批量测试发现,mos管经常有损坏现象。

    我刚才测试了10个,都是把新的mos管焊接到一块电路板上,直接上电测试,其中就有一个管坏掉了。1/10故障率了。

    电路如下:

    手册图如下。可以肯定,这颗料是正品的,那问题可能出在焊接、或者电路设计。

    所以,想请教您一下,这个电路有啥问题嘛?

    是否需要像ADI非常见问题176文档中提到的,需要在三极管基极和发射机反相接一个二极管呢(因为三极管的发射极到基极的绝对额定最大值很小,所以才保护的把,但mos管的很大呢,像我选的这颗料FCD7N60,有±30V呢)

    非常非常感谢,祝愿工作顺利!

  • 我猜测可能是 输出电流和Vds的压差过大导致的,Vds*Id超过的MOS的安全工作区。因为你的栅极电位的建立时间由R2和C1决定,他会很慢,但输出电流是直接就过去的,应为Vg相对Vs只要超过阈值电压,MOS就导通,所以你可以尝试在Vds之间加一个稳压二极管,同时降低R2 和C1的时间常数。因为驱动容性负载也会有一个瞬间的大电流。所以还可以将C2减小。这样再试一试。看是否能解决这个故障问题。