想把ADHV4702的输出电流增大到100mA,
采用VP2540和VN2540两个MOS管,按照datasheet上的图设计电路。仿真看步到问题。但是,在实验中,ADHV4702大概输出电流50mA超过1分钟就会烧芯片。已经烧了6pcs了,求帮忙
想把ADHV4702的输出电流增大到100mA,
采用VP2540和VN2540两个MOS管,按照datasheet上的图设计电路。仿真看步到问题。但是,在实验中,ADHV4702大概输出电流50mA超过1分钟就会烧芯片。已经烧了6pcs了,求帮忙
Hi All,
你们可以采用下面的解决方案ADHV4702+LT1166+MOSFET,LT1166可以让MOSFET有一个静态工作点,使得MOSFET始终导通。同时LT1166也能实现过流保护。

您好。 我想用这个方案, 但是工作电压为±75V, 可以帮我调整一下各参数吗?
把三极管和MOSFET(Q4,Q6,M1,M2)的耐压都改大就可以了,比如都用200V到300V的管子。其他不需要怎么改。
另外如果在驱动容性负载导致出现稳定性的问题,把C1调大即可。
我试了,100k正弦波输入,畸变明显

我试了,100k正弦波输入,畸变明显
