ADHV4702增大输出电流，烧芯片问题

你的R6太大了，改为39k试一试看。另外MOS的栅极需要电阻驱动，MOS同时需要增加过流保护。

按照以下的电路修改再调试一下

按照您的电路图，功能仿真不对。是不是我哪个地方弄错了

我觉得这个可能是spice模型导致的问题，你的目标是要输出正弦信号么？从原理上说这个电路通过负反馈实现正弦信号是没有问题的。

你可能需要用实际电路测试下来看是否有问题。

另外把 原电路中 R10（Rsense）去掉，那个电阻我是用来采样电流的，在你的实际电路中没有意义。这个电路的输出直接挂接你的实际负载即可。

目标信号是随机的。是不是MOS管在输出小电流的时候引起的。上升段和下降段都有这个问题

是的，因为当电流很小的时候，ADHV4702输出的电流流过39k那个电阻无法产生超过4V的阈值电压，这样MOSFET无法导通，使得在微电流的时候mosfet 处于截至状态。这个电路的问题存在于mosfet并不是一直处于导通状态。

但是，ADHV4702本身具有10ma的输出能力，在小电流的时候，MOS是否工作无所谓吧

是的。发现把39K减小就没事。是ADHV4702的驱动能力不够？

仿真结果看，把39K换成10k，失真几乎不可见。麻烦您看看，10k是否不会导致芯片烧毁，在输出100V的时候

我觉得这个是跟模型相关，未必是真实的情况，10k电阻原理上是不会导致芯片烧毁的，最终电路参考下图：

阶跃响应的输出信号和R6上的瞬态电流情况参考下图：

我觉得你需要最终搭建电路实际测试一下，看最终效果。

好的

我重仿真了我曾经的电路，发现不能加保护电路，需要把原电路中Q1和Q2删掉！

参考如下电路：

我重仿真了我曾经的电路，发现不能加保护电路，需要把原电路中Q1和Q2删掉！

参考如下电路：