ADHV4702增大输出电流，烧芯片问题

你的R6太大了，改为39k试一试看。另外MOS的栅极需要电阻驱动，MOS同时需要增加过流保护。

按照以下的电路修改再调试一下

按照您的电路图，功能仿真不对。是不是我哪个地方弄错了

你的PMOS 方向反了。IRF9640的S极链接R3

另外如果要继续做板的话，建议你在运放的同相端和反相端之间加两个BAV199做保护。

你可以把你的具体需求告诉，我可以帮你继续优化一下电路。但我想了解你这个电路应用场景是什么？

嗯。实际电路中加了BAV199做保护。实际电路就是做一个正负10V正弦输入，输出正负100V驱动2K欧+6.8mH串联的负载，驱动电流最大100mA.

你的带宽要求多少？

1kHZ就可以。另外一个问题，刚才我把R6换成39K. 情况是好了很多，但是，在输出50V以上时，仍然感觉芯片的温度很烫。我想请教一下，芯片烧毁的原理是啥？是因为MOS管的大电流通过R6反馈到芯片输出端？

1kHZ就可以。另外一个问题，刚才我把R6换成39K. 情况是好了很多，但是，在输出50V以上时，仍然感觉芯片的温度很烫。我想请教一下，芯片烧毁的原理是啥？是因为MOS管的大电流通过R6反馈到芯片输出端？

ADHV4702自身承载的功率过高所致，MOSfet的栅极需要比输出高出4V以上的阈值电压才能工作，所以R6上的压降会在4V左右，甚至更高。这样你就知道了ADHV4702的输出电流，即 4V/R6, 如果这个电流过高，乘以电源电压与输出电压的压差，基本就知道加载在放大器上的功耗了。

高压的供电的放大器都会比较热，这个是不可避免的，静态功耗的电流乘以供电电压就是这个放大器的静态功耗。肯定比一般的放大器要高。

最好要加散热器。ADHV4702肚子下面的PAD主要就是用于散热的，应该尽可能的连接更大的铜皮用于散热。

如果是1kHz，你可以将C1改为100pF~470pF之间就可以满足你需要的带宽，需要注意的是C1的耐亚最好是实际承载电压的2倍。比如你目前的输出是+/-100V, 这个电容的耐压最好选择200V。

ADHV4702自身承载的功率过高所致，MOSfet的栅极需要比输出高出4V以上的阈值电压才能工作，所以R6上的压降会在4V左右，甚至更高。这样你就知道了ADHV4702的输出电流，即 4V/R6, 如果这个电流过高，乘以电源电压与输出电压的压差，基本就知道加载在放大器上的功耗了。

高压的供电的放大器都会比较热，这个是不可避免的，静态功耗的电流乘以供电电压就是这个放大器的静态功耗。肯定比一般的放大器要高。

最好要加散热器。ADHV4702肚子下面的PAD主要就是用于散热的，应该尽可能的连接更大的铜皮用于散热。

如果是1kHz，你可以将C1改为100pF~470pF之间就可以满足你需要的带宽，需要注意的是C1的耐亚最好是实际承载电压的2倍。比如你目前的输出是+/-100V, 这个电容的耐压最好选择200V。

上述电路在0V输出附近有这么一个奇变，麻烦问一下，这个应该是MOS管引起的。如果不提高输出电流的话，没有这个现象。麻烦问一下，这个问题该怎么解决？

我觉得这个可能是spice模型导致的问题，你的目标是要输出正弦信号么？从原理上说这个电路通过负反馈实现正弦信号是没有问题的。

你可能需要用实际电路测试下来看是否有问题。

另外把 原电路中 R10（Rsense）去掉，那个电阻我是用来采样电流的，在你的实际电路中没有意义。这个电路的输出直接挂接你的实际负载即可。

目标信号是随机的。是不是MOS管在输出小电流的时候引起的。上升段和下降段都有这个问题

是的，因为当电流很小的时候，ADHV4702输出的电流流过39k那个电阻无法产生超过4V的阈值电压，这样MOSFET无法导通，使得在微电流的时候mosfet 处于截至状态。这个电路的问题存在于mosfet并不是一直处于导通状态。

但是，ADHV4702本身具有10ma的输出能力，在小电流的时候，MOS是否工作无所谓吧

是的。发现把39K减小就没事。是ADHV4702的驱动能力不够？

仿真结果看，把39K换成10k，失真几乎不可见。麻烦您看看，10k是否不会导致芯片烧毁，在输出100V的时候

我觉得这个是跟模型相关，未必是真实的情况，10k电阻原理上是不会导致芯片烧毁的，最终电路参考下图：

阶跃响应的输出信号和R6上的瞬态电流情况参考下图：

我觉得你需要最终搭建电路实际测试一下，看最终效果。

好的