想把ADHV4702的输出电流增大到100mA,采用VP2540和VN2540两个MOS管,按照datasheet上的图设计电路。仿真看步到问题。但是,在实验中,ADHV4702大概输出电流50mA超过1分钟就会烧芯片。已经烧了6pcs了,求帮忙
想把ADHV4702的输出电流增大到100mA,采用VP2540和VN2540两个MOS管,按照datasheet上的图设计电路。仿真看步到问题。但是,在实验中,ADHV4702大概输出电流50mA超过1分钟就会烧芯片。已经烧了6pcs了,求帮忙
你的R6太大了,改为39k试一试看。另外MOS的栅极需要电阻驱动,MOS同时需要增加过流保护。
按照以下的电路修改再调试一下
按照您的电路图,功能仿真不对。是不是我哪个地方弄错了
你的PMOS 方向反了。IRF9640的S极链接R3
另外如果要继续做板的话,建议你在运放的同相端和反相端之间加两个BAV199做保护。
你可以把你的具体需求告诉,我可以帮你继续优化一下电路。但我想了解你这个电路应用场景是什么?
嗯。实际电路中加了BAV199做保护。实际电路就是做一个正负10V正弦输入,输出正负100V驱动2K欧+6.8mH串联的负载,驱动电流最大100mA.
你的带宽要求多少?
1kHZ就可以。另外一个问题,刚才我把R6换成39K. 情况是好了很多,但是,在输出50V以上时,仍然感觉芯片的温度很烫。我想请教一下,芯片烧毁的原理是啥?是因为MOS管的大电流通过R6反馈到芯片输出端?
1kHZ就可以。另外一个问题,刚才我把R6换成39K. 情况是好了很多,但是,在输出50V以上时,仍然感觉芯片的温度很烫。我想请教一下,芯片烧毁的原理是啥?是因为MOS管的大电流通过R6反馈到芯片输出端?
1kHZ就可以。另外一个问题,刚才我把R6换成39K. 情况是好了很多,但是,在输出50V以上时,仍然感觉芯片的温度很烫。我想请教一下,芯片烧毁的原理是啥?是因为MOS管的大电流通过R6反馈到芯片输出端?
ADHV4702自身承载的功率过高所致,MOSfet的栅极需要比输出高出4V以上的阈值电压才能工作,所以R6上的压降会在4V左右,甚至更高。这样你就知道了ADHV4702的输出电流,即 4V/R6, 如果这个电流过高,乘以电源电压与输出电压的压差,基本就知道加载在放大器上的功耗了。
高压的供电的放大器都会比较热,这个是不可避免的,静态功耗的电流乘以供电电压就是这个放大器的静态功耗。肯定比一般的放大器要高。
最好要加散热器。ADHV4702肚子下面的PAD主要就是用于散热的,应该尽可能的连接更大的铜皮用于散热。
如果是1kHz,你可以将C1改为100pF~470pF之间就可以满足你需要的带宽,需要注意的是C1的耐亚最好是实际承载电压的2倍。比如你目前的输出是+/-100V, 这个电容的耐压最好选择200V。
上述电路在0V输出附近有这么一个奇变,麻烦问一下,这个应该是MOS管引起的。如果不提高输出电流的话,没有这个现象。麻烦问一下,这个问题该怎么解决?
我觉得这个可能是spice模型导致的问题,你的目标是要输出正弦信号么?从原理上说这个电路通过负反馈实现正弦信号是没有问题的。
你可能需要用实际电路测试下来看是否有问题。
另外把 原电路中 R10(Rsense)去掉,那个电阻我是用来采样电流的,在你的实际电路中没有意义。这个电路的输出直接挂接你的实际负载即可。
目标信号是随机的。是不是MOS管在输出小电流的时候引起的。上升段和下降段都有这个问题
是的,因为当电流很小的时候,ADHV4702输出的电流流过39k那个电阻无法产生超过4V的阈值电压,这样MOSFET无法导通,使得在微电流的时候mosfet 处于截至状态。这个电路的问题存在于mosfet并不是一直处于导通状态。
但是,ADHV4702本身具有10ma的输出能力,在小电流的时候,MOS是否工作无所谓吧
是的。发现把39K减小就没事。是ADHV4702的驱动能力不够?
仿真结果看,把39K换成10k,失真几乎不可见。麻烦您看看,10k是否不会导致芯片烧毁,在输出100V的时候
我觉得这个是跟模型相关,未必是真实的情况,10k电阻原理上是不会导致芯片烧毁的,最终电路参考下图:
阶跃响应的输出信号和R6上的瞬态电流情况参考下图:
我觉得你需要最终搭建电路实际测试一下,看最终效果。