ADHV4702增大输出电流，烧芯片问题

你的R6太大了，改为39k试一试看。另外MOS的栅极需要电阻驱动，MOS同时需要增加过流保护。

按照以下的电路修改再调试一下

按照您的电路图，功能仿真不对。是不是我哪个地方弄错了

你的PMOS 方向反了。IRF9640的S极链接R3

另外如果要继续做板的话，建议你在运放的同相端和反相端之间加两个BAV199做保护。

你可以把你的具体需求告诉，我可以帮你继续优化一下电路。但我想了解你这个电路应用场景是什么？

嗯。实际电路中加了BAV199做保护。实际电路就是做一个正负10V正弦输入，输出正负100V驱动2K欧+6.8mH串联的负载，驱动电流最大100mA.

你的带宽要求多少？

1kHZ就可以。另外一个问题，刚才我把R6换成39K. 情况是好了很多，但是，在输出50V以上时，仍然感觉芯片的温度很烫。我想请教一下，芯片烧毁的原理是啥？是因为MOS管的大电流通过R6反馈到芯片输出端？

1kHZ就可以。另外一个问题，刚才我把R6换成39K. 情况是好了很多，但是，在输出50V以上时，仍然感觉芯片的温度很烫。我想请教一下，芯片烧毁的原理是啥？是因为MOS管的大电流通过R6反馈到芯片输出端？