想把ADHV4702的输出电流增大到100mA,采用VP2540和VN2540两个MOS管,按照datasheet上的图设计电路。仿真看步到问题。但是,在实验中,ADHV4702大概输出电流50mA超过1分钟就会烧芯片。已经烧了6pcs了,求帮忙
想把ADHV4702的输出电流增大到100mA,采用VP2540和VN2540两个MOS管,按照datasheet上的图设计电路。仿真看步到问题。但是,在实验中,ADHV4702大概输出电流50mA超过1分钟就会烧芯片。已经烧了6pcs了,求帮忙
你的R6太大了,改为39k试一试看。另外MOS的栅极需要电阻驱动,MOS同时需要增加过流保护。
按照以下的电路修改再调试一下
你的R6太大了,改为39k试一试看。另外MOS的栅极需要电阻驱动,MOS同时需要增加过流保护。
按照以下的电路修改再调试一下
非常感谢您的建议!我马上安排采购器件做实验。另外,对于上面的电路图,可以改成V-端输入,V+端接地么?
按照您的电路图,功能仿真不对。是不是我哪个地方弄错了
你的PMOS 方向反了。IRF9640的S极链接R3
另外如果要继续做板的话,建议你在运放的同相端和反相端之间加两个BAV199做保护。
你可以把你的具体需求告诉,我可以帮你继续优化一下电路。但我想了解你这个电路应用场景是什么?
嗯。实际电路中加了BAV199做保护。实际电路就是做一个正负10V正弦输入,输出正负100V驱动2K欧+6.8mH串联的负载,驱动电流最大100mA.
你的带宽要求多少?
1kHZ就可以。另外一个问题,刚才我把R6换成39K. 情况是好了很多,但是,在输出50V以上时,仍然感觉芯片的温度很烫。我想请教一下,芯片烧毁的原理是啥?是因为MOS管的大电流通过R6反馈到芯片输出端?
1kHZ就可以。另外一个问题,刚才我把R6换成39K. 情况是好了很多,但是,在输出50V以上时,仍然感觉芯片的温度很烫。我想请教一下,芯片烧毁的原理是啥?是因为MOS管的大电流通过R6反馈到芯片输出端?
ADHV4702自身承载的功率过高所致,MOSfet的栅极需要比输出高出4V以上的阈值电压才能工作,所以R6上的压降会在4V左右,甚至更高。这样你就知道了ADHV4702的输出电流,即 4V/R6, 如果这个电流过高,乘以电源电压与输出电压的压差,基本就知道加载在放大器上的功耗了。
高压的供电的放大器都会比较热,这个是不可避免的,静态功耗的电流乘以供电电压就是这个放大器的静态功耗。肯定比一般的放大器要高。
最好要加散热器。ADHV4702肚子下面的PAD主要就是用于散热的,应该尽可能的连接更大的铜皮用于散热。
如果是1kHz,你可以将C1改为100pF~470pF之间就可以满足你需要的带宽,需要注意的是C1的耐亚最好是实际承载电压的2倍。比如你目前的输出是+/-100V, 这个电容的耐压最好选择200V。